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        P+F電感式接近開關分類齊全

        簡要描述:P+F電感式接近開關分類齊全NBB1.5-8GM50-E2
        其中K為霍爾系數,I為薄片中通過的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應強度,d是薄片的厚度。

        • 產品型號:NBB1.5-8GM50-E2
        • 廠商性質:經銷商
        • 更新時間:2023-07-25
        • 訪  問  量:727

        P+F電感式接近開關分類齊全NBB1.5-8GM50-E2

        產品概述:

        當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,

        薄片的兩端就會產生電位差,這種現象就稱為霍爾效應。

        兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U,其表達式為

        U=K·I·B/d

        由此可見,霍爾效應的靈敏度低與外加磁場的磁感應強度成正比的關系。

        霍爾開關就屬于這種有源磁電轉換器件,

        它是在霍爾效應原理的基礎上,

        利用集成封裝和組裝工藝制作而成,

        它可方便的把磁輸入信號轉換成實際應用中的電信號,

        同時又具備工業場合實際應用易操作和可靠性的要求。

        工作原理:

        電感式接近開關由三大部分組成:

        振蕩器、開關電路及放大輸出電路。

        振蕩器產生一個交變磁場。

        當金屬目標接近這一磁場,

        并達到感應距離時,

        在金屬目標內產生渦流,

        從而導致振蕩衰減,以至停振。

        振蕩器振蕩及停振的變化被后級放大電路處理并轉換成開關信號,

        觸發驅動控制器件,從而達到非接觸式之檢測目的

        熱門型號:

        NBN4-12GM50-E2

        NBN4-12GM50-E0

        NBN4-12GM40-Z0

        NJ4-12GM40-E2

        NBB4-12GM50-E2

        NBB4-12GM50-E0

        NBB5-18GM50-E2

        NBB5-18GM50-E0

        NBB5-18GM60-A2

        NBB5-18GM60-Z0

        P+F電感式接近開關分類齊全NBB1.5-8GM50-E2


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